ФТТ, 2009, том 51, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск   KOI  WIN  DOS 

Динамика движения доменных границ в сегнетоэлектрических жидких кристаллах в электрическом поле

А.Л.Андреев, И.Н.Компанец, Т.Б.Андреева, Ю.П.Шумкина

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
Москва, Россия
E-mail: kompan@sci.lebedev.ru

(Поступила в Редакцию 15 января 2009 г.)

Рассмотрен процесс переориентации директора в жидких кристаллах смектического типа с сегнетоэлектрическими свойствами в случае, когда взаимодействие молекул жидкого кристалла с поверхностью приводит к частичной раскрутке геликоидальной структуры жидкого кристалла, а переориентация происходит за счет движения доменных границ. Определены зависимости скорости движения доменных границ от напряженности и частоты изменения электрического поля, граничных условий, спонтанной поляризации и вязкости жидкого кристалла. Показано, что увеличение частоты изменения электрического поля или полярной части энергии сцепления и спонтанной поляризации жидкого кристалла при неизменной частоте поля приводит к увеличению скорости движения доменных границ. Как следствие этого, время электрооптического отклика жидкого кристалла в слабых электрических полях (от 0.4 до 2 V/mum) уменьшается более чем в 3 раза.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 07-02-00785) и РАН (программа \glqq Полифункциональные материалы для молекулярной электроники\grqq).

PACS: 42.70.Df, 61.30.Eb, 77.80.Dj, 78.20.Jq

 PDF версия (593Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster