ФТТ, 2008, том 50, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск   KOI  WIN  DOS 

Фотолюминесценция и ЭПР пористого кремния, сформированного на n+- и p+-монокристаллах, легированных ионной
имплантацией бора или фосфора

Е.С.Демидов, И.С.Рассолова, О.Н.Горшков, В.К.Васильев, М.О.Марычев,
А.Н.Михайлов, Д.И.Тетельбаум, С.А.Филиппов

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: demidov@phys.unn.ru

(Поступила в Редакцию 16 июля 2007 г.
В окончательной редакции 10 января 2008 г.)

С применением ионной имплантации фосфора и бора изучено влияние совместного легирования мелкими донорными и акцепторными примесями на усиление квантового выхода фотолюминесценции (ФЛ) пористого кремния (ПК) в видимом и примыкающем к видимому ИК-диапазоне излучения. Неоднородное легирование образцов с последующим окислительным отжигом производилось до и после формирования ПК на сильно легированных до уровня ~1019 cm-3 мышьяком или бором монокристаллах кремния. Содержание известных Pb-центров безызлучательной рекомбинации контролировалось с применением электронного парамагнитного резонанса. Показано, что существует оптимальное совместное содержание мелких доноров и акцепторов, обеспечивающее максимум интенсивности ФЛ вблизи красного участка спектра видимого света. Согласно оценкам, квантовый выход ФЛ в переходном n++-p+- или p++-n+-слое ПК возрастает на два порядка по сравнению с ПК, сформированном на кремнии без ионного облучения.

Работа выполнена при поддержке программы Рособразования (проект РНП 2.1.1 4022).

PACS: 76.30.-v, 76.30.Kg, 78.55.-m, 78.55.Mb, 78.67.Bf

 PDF версия (400Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster