ФТТ, 2005, том 47, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск   KOI  WIN  DOS 

Сверхбыстрый фазовый переход полупроводник--металл в двуокиси ванадия под действием фемтосекундного лазерного импульса

А.Л.Семенов

Ульяновский государственный университет,
432970 Ульяновск, Россия
E-mail: smnv@mail.ru

(Поступила в Редакцию 21 декабря 2004 г.)

Предложена модель фотоиндуцированного фазового перехода полупроводник--металл пайерлсовского типа, в рамках которой найдены зависимость ширины запрещенной зоны электронного спектра двуокиси ванадия от времени t в световом поле и зависимость времени tau фотоиндуцированного фазового перехода полупроводник--металл от длительности taup лазерного импульса. Полученные теоретические результаты согласуются с экспериментальными данными по облучению пленки VO2 мощным лазерным импульсом.

 PDF версия (98Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster