ФТТ, 2004, том 46, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск   KOI  WIN  DOS 

Теплоемкость сегнетоэлектрических кристаллов системы Pb5(Ge1-xSix)3O11

А.А.Буш, Е.А.Попова *

Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет),
119454 Москва, Россия
* Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119899 Москва, Россия
E-mail: abush@ranet.ru

(Поступила в Редакцию 21 августа 2003 г.)

Проведены измерения температурных зависимостей молярной теплоемкости при постоянном давлении Cp кристаллов Pb5(Ge1-xSix)3O11 с x=0, 0.39 и 0.45 в области 5-300 K, а также температурных зависимостей их диэлектрических проницаемости и потерь, пироэлектрического эффекта. Экспериментальные данные по температурной зависимости теплоемкости представлены в виде суммы двух дебаевских и одного эйнштейновского членов --- Cp(T)=0.405CD1(ThetaD1=160 K,T) +0.53CD2(ThetaD2=750 K,T) +0.046CE(ThetaE=47 K,T). На температурных зависимостях теплоемкости, кроме пика в области сегнетоэлектрической точки Кюри Tc=450 K кристаллов с x=0, других выраженных аномалий не обнаружено.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17798).

 PDF версия (341Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster