ФТТ, 2004, том 46, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск   KOI  WIN  DOS 

Синхротронные исследования особенностей электронно-энергетического спектра кремниевых наноструктур

Э.П.Домашевская, В.А.Терехов, В.М.Кашкаров, Э.Ю.Мануковский, С.Ю.Турищев, С.Л.Молодцов *,
Д.В.Вялых **, А.Ф.Хохлов ***, А.И.Машин ***, В.Г.Шенгуров ***, С.П.Светлов ***, В.Ю.Чалков ***

Воронежский государственный университет,
394693 Воронеж, Россия
* Institut fur Oberflachen- und Mikrostrukturphysik, Technische Universitat,
Dresden, Germany
** Institut fur Experimentalphysik, Freie Universitat Berlin,
Berlin, Germany
*** Нижегородский государственный университет,
603600 Нижний Новгород, Россия
E-mail: root@ftt.vsu.ru

(Поступила в Редакцию 11 февраля 2003 г.)

С использованием синхротронного излучения впервые получены спектры ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения в области Si L2,3-краев для наноматериалов в виде пористого кремния и наноструктур с эпитаксиальными слоями кремния, легированными эрбием или содержащими квантовые точки германия. Модель фотолюминесценции пористого кремния на базе полученных данных позволяет объяснить ее появление вследствие зона-зонных переходов между уровнями крсталлической фазы и оксидных фаз, покрывающих нанокристаллы кремния. Напряжения в поверхностных нанослоях кремния, вызванные Ge-квантовыми точками или кластерами с внедренными атомами эрбия, являются причиной появления тонкой структуры спектров вблизи края зоны проводимости и могут приводить к возникновению люминесценции в этих наноструктурах.

 PDF версия (765Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster