Приводятся первые результаты изучения эпитаксиального выращивания легированных эрбием слоев кремния на сапфировых подложках с использованием метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Приведены данные структурного анализа, обсуждаются люминесцентные свойства слоев. Показано достаточно высокое совершенство гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире, выращенных при температурах $T$_s=600-700^oC. В фотолюминесцентном отклике структур обнаружен сигнал на длине волны $1.54$mum, связываемый с внутрицентровыми переходами редкоземельного иона Er$3+$.

Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16439 и 02-02-16773) и МНТП \glqq Фундаментальная спектроскопия\grqq (проект N 08.02.043).